IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种复合全控型功率半导体器件，结合了 MOSFET 的高输入阻抗和 BJT 的低导通损耗特性，广泛应用于中高功率电力电子系统。
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基础结构
- 三端器件：
- 栅极（G）：接收低压控制信号（通常 ±15V~20V），控制 IGBT 导通/关断。
- 集电极（C）：连接高电压（通常 600V~6500V）。
- 发射极（E）：电流输出端。
内部结构：
MOSFET（驱动） + BJT（功率承载）
│
└─ 栅极控制 → N沟道MOSFET → 驱动PNP型BJT
核心特性
| 参数 |
特点 |
优势对比（vs MOSFET/BJT） |
| 导通损耗 |
低（尤其在 >300V 高压场景） |
BJT > IGBT > MOSFET（高压下） |
| 开关频率 |
中速（5-100 kHz，第七代可达 150 kHz） |
MOSFET（高频）> IGBT > BJT（低频） |
| 耐压能力 |
高（工业级 1200V~6500V） |
远超 MOSFET，匹配 BJT |
| 驱动功率 |
低（电压型驱动，类似 MOSFET） |
远低于 BJT（电流驱动） |
| 导通压降 V<sub>CE(sat)</sub> |
1.5V~3.5V（随电流增大而上升） |
高压下优于 MOSFET |
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